型号 | SI2327DS-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH D-S 200V SOT-23 |
SI2327DS-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI2327DS-T1-GE3 |
产品目录绘图 | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 380mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.35 欧姆 @ 500mA,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V |
功率 - 最大 | 750mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | SI2327DS-T1-GE3DKR |